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集成電路制造工藝

更新時(shí)間:2020-10-19   點(diǎn)擊次數:1788次

芯片廠(chǎng)中通常分為擴散區、光刻區、刻蝕區、離子注入區、薄膜生長(cháng)區和拋光區6個(gè)生產(chǎn)區域:

?擴散區是進(jìn)行高溫工藝及薄膜積淀的區域,主要設備是高溫爐和濕法清洗設備;

②光刻區是芯片制造的心臟區域,使用黃色熒光管照明,目的是將電路圖形轉移到覆蓋于硅片表面的光刻膠上;  

③刻蝕工藝是在硅片上沒(méi)有光刻膠保護的地方留下的圖形;

④離子注入是用高壓和磁場(chǎng)來(lái)控制和加速帶著(zhù)要摻雜的雜質(zhì)的氣體;高能雜質(zhì)離子穿透涂膠硅片的表面,形成目標硅片;

⑤薄膜生長(cháng)主要負責生產(chǎn)各個(gè)步驟中的介質(zhì)層與金屬層的淀積。

⑥拋光,即CMP(化學(xué)機械平坦化)工藝的目的是使硅片表面平坦化。

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